Re^3:On the TiC and BaTiO3 calculation ( in japanese)

Posted on : April 27, 2005 (Wed) 10:16:03

by Kobayashi Kazuaki

　物質・材料研究機構の小林です。

　早速のお返事ありがとうございます。

>問題の方はPbTiO3,BaTiO3で状態密度をもってしまうことです。
>今dosの計算でｋ点を(h だのuだので指定するのでなく数値で）
>増やして計算させているところです。

　これらの物質はギャップを持ったシステムなので、本来なら
少ないｋ点数でも良く記述できるはずなので、ｋ点を増やして
計算というのには、少し違和感を感じます。

　状態密度ではなくバンド構造（E-k分散）は見られたでしょうか？。
ひょっとしたら、ゴーストバンドがフェルミレベル以下に存在して、
それが悪さをしていることはないでしょうか？。

　この計算手法では、おそらく四面体法でｋ点の足し上げを行って
ると思われるので、関係ないかもしれませんが、バンドに何らかの
ブローデニング（広がり）が施されて（或いは存在して）いて、
バンドギャップ内に、バンドの広がりによる状態が染み出して、
それを見ているということはないでしょうか？。

　以上、的外れなものだったらご容赦下さい。

（--@--は変なメイル対策）